Feiteng 200*120*8mmのハフニウム シートの高温抵抗力がある

ハフニウムの版200*120*8のハフニウム シート

ハフニウムは金属要素、記号Hfの第72の原子量178.49である。元素光沢がある銀灰色の遷移金属はである。ハフニウムの6つの自然に安定同位体がある:ハフニウム174、176、177、178、179、180。ハフニウムは希薄な塩酸、希薄な硫酸および強いアルカリ解決と反応しないが、フッ化水素酸および水のregiaで溶ける。要素の名前はコペンハーゲン市のラテン系の名前から来る。Heweiスウェーデンの化学者ハフニウムの塩および金属ナトリウムの減少のフッ化物の塩の分類の結晶化の方法との1925年にXIおよびオランダの物理学者Kest、純粋な金属のハフニウムを得るため。ハフニウムは地殻の0.00045%にあり、頻繁に実際のところジルコニウムと関連付けられる。要素のハフニウムは最も最近のintel45 nmプロセッサでも使用される。SiO2のManufacturabilityおよびトランジスター性能の連続的な改善のための厚さを減らす機能のためにプロセッサの製造業者はゲートの誘電材料としてSiO2を使用している。Intelの輸入65のナノの製造技術が、1.2 nmへ無水ケイ酸のゲートの誘電体の厚さを切ることのとき原子サイズ、パワー消費量および熱放散の難しさへのトランジスターのサイズが原子の5つの層の等量、原因で、電流の無駄同時に増加しが、現在の材料を使用し続けなさい不必要な熱は、そう更に厚さを減らして、憶病なトランジスターの技術を限るゲートの誘電体の漏出率かなり増加する。この重大な問題に演説するためには、Intelはまた10回以上までに漏出を減らした二酸化ケイ素を取り替えるゲートの誘電体としてより厚い、高K材料（ハフニウム ベースの材料）に転換することを計画している。Intelの45ナノメーター プロセスはほぼプロセッサのトランジスターの数を高めるか、またはプロセッサのサイズを減らしている65ナノメーターの前任者と比較されるトランジスターの密度を倍増する。さらに、トランジスターはほぼ30%を使用して、断続的に転換するより少ない力をより少ない力要求する。低K誘電体が付いている使用銅線を相互に連結する。滑らかに効率を改善すればパワー消費量を減らすために、約20%のスピードをあげるために転換しなさい。

特徴:
可塑性
容易な処理
高温抵抗力がある
防蝕