真空メッキのチタニウムGr1放出させる管は133OD*125ID*840Lを目標とする

チタニウムの管ターゲット チタニウムGr1 ASTM B861-06 133OD*125ID*840L真空メッキターゲット放出させること

目標資料の材料のテクノロジー開発の傾向はフィルム プロダクトの企業の技術的な改善の適用と共に下流の適用工業の薄膜のテクノロジー開発の傾向と密接に、関連付けられる陰極線管（CRT）コンピュータ モニターおよびテレビの市場で主に構成される元のフラット パネル ディスプレイ（FPD）を非常に近年取り替えるためにまたは部品は、ターゲットの技術また変わるべきである。それはまたITOの目標資料の技術そして市場の需要を非常に高める。ストレージ技術に加えて。高密度、大容量のハードディスクおよび高密度消去可能なディスクのための要求は増加し続ける。これらのすべて目標資料のための適用工業の要求の変更の結果。次私達は目標資料の主要出願分野およびそれぞれこれらの分野の目標資料の開発傾向をもたらす。
すべての適用工業の間で、半導体工業にターゲット放出させるフィルムのためのほとんどの厳しい品質要求事項がある。今日、12インチの（300鼻血）シリコン チップは作られた。縮まっている幅で相互に連結する。ウエファーの製造業者は大型、高い純度、製造されたターゲットのよりよい微細構造を要求する微粒子要求する、および低い分離を。目標資料の水晶粒子の直径そして均等性は薄膜の溶着速度に影響を与えるキー ファクタとして考慮された。さらに、フィルムの純度は目標資料の純度と非常に関連している。以前、99.995% （4N5）銅ターゲットの半導体の製造業者の0.35pmプロセスの条件を満たせる0.25umプロセスの条件、および0.18umおよび0.13 mプロセス満たすことができない。必要な電気移動にアルミニウム、銅を持つ5また更に6 N. Comparedの上に目標資料の純度は持っているより抗力が高いあり、より低い抵抗は、会うことができる!コンダクター プロセスは0.25umの下のミクロ以下の配線に要求されるが、それと他の問題を持って来る:有機性誘電材料への銅の低い付着の強さ。さらに、使用の過程において銅の結合の腐食そして切断をもたらす反応することは容易である。これらの問題を解決するためには、バリヤー層は銅と誘電性の層の間に置かれる必要がある。バリア材は高い融点および高い抵抗の金属そして混合物を一般使用、従ってバリヤー層の厚さは50 nmよりより少しであるように要求され銅および誘電材料との付着の性能はよい。銅のためのバリア材は相互に連結し、アルミニウムは異なっている相互に連結する。新しい目標資料は開発される必要がある。銅の結合のバリヤー層のための目標資料はTa、W、TaSi、WSi、等を含んでいる。しかしTaおよびWは処理し難い金属である。作ることは比較的困難でありモリブデン、クロムおよび他の金は代わりとなる材料として調査されている。

特徴

1. 低密度および高力
2.顧客によって必要なデッサンに従ってカスタマイズされて
3.強い耐食性
4.強い熱抵抗
5.低温の抵抗
6.熱抵抗